( 784) # 24Б2784
Автор(ы): Cho K., Kaxiras E., Joannopoulos J. D.
Заглавие: Теория адсорбции и десорбции молекул H[2] на поверхности Si (111)-(7*7)
Оригинальное заглавие: Theory of adsorption and desorption of H[2] molecules on the Si(111)-(7*7) surface
Язык: Англ.
Источник: Phys. Rev. Lett. 25, 1997, т.79, стр.5078-5081
Ключевые слова: адсорбция; десорбция; водород; кремний

Реферат: Из первых принципов методом функционала плотности изучена АД и ДС молекул H[2] на ПВ Si (111)-(7*7). Согласно расчетам энергетический барьер АД составляет 0,8 эВ. Процесс разрыва связей адатомов с ПВ идентифицируется, как микроскопический механизм, определяемый величинами адсорбционного энергетического барьера и кинетической энергии десорбированных молекул H[2]. Для разрыва двух связей Si-H и образования связи H-H требуется энергия 1,6 эВ. Десорбционный энергетический барьер составляет 1,6+0,8=2,4 эВ. Это значение согласуется с экспериментально определенным по ДС молекул H[2] при невысоких заполнениях ПВ Si (111)-(7*7)