( 785) # 24Б2785
Автор(ы): Koebel A., Zheng Y., Petroff J. F., Boulliard J. C., Capelle B., Eddrief M.
Заглавие: Изучение роста ультратонких пленок GaSe на поверхности (111) Si методом стоячих рентгеновских волн
Оригинальное заглавие: Growth of GaSe ultrathin films on Si(111) substrates analyzed by the x-ray standing-wave technique
Язык: Англ.
Источник: Phys. Rev. B 19, 1997, т.56, стр.12296-12302
Ключевые слова: пленки; кремний

Реферат: Методом стоячих рентгеновских волн изучен гетероэпитаксиальный рост очень тонких пленок GaSe на ПВ H-Si (111), (7*7)-Si и (РАДИКАЛ(3)*РАДИКАЛ(3))-Ga-Si (111). Показано, что структура межфазной границы не зависит от способа подготовки ПВ (111) Si и состоит из полуслоя GaSe, привитого к ПВ (111) Si. Атомы Gs ковалентно связаны с верхушечными атомами Si и расположены на T-центрах. Вдали от границы рост пленки происходит по послойному механизму, при этом первый завершенный слой Se-Ga-Ga-Se почти полностью релаксирован по отношению к Si-подложке и расстояние между полуслоем и первым завершенным слоем согласуется со структурой объемного гамма-GaSe